NT5AD512M16A4-HR vs NT5AD512M16C4-JRI Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5AD512M16A4-HR von Nanya Technology und NT5AD512M16C4-JRI von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | NT5AD512M16A4-HR | NT5AD512M16C4-JRI |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,10 | $75,58 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Datenrate | 3200 Mbps (PC4-25600) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C | — |
| Gehäuse | TFBGA-96 | TFBGA-96 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Memory Density | — | 8 Gbit |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40°C to +95°C |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |