QPM1002 vs QPM1002SR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de QPM1002 por Qorvo e QPM1002SR por Qorvo. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro QPM1002 QPM1002SR
Marca Qorvo Qorvo
Categoria RF Modules RF Modules
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $96,00 $0,00
Frequency Range 8.5 GHz to 10.5 GHz 8.5 GHz to 10.5 GHz
Product Type GaN MMIC Front-End Module (T/R Module) —
Integrated Functions T/R switch + LNA + PA —
Rx Small-Signal Gain 25 dB —
Rx Noise Figure 2.2 dB —
Tx Small-Signal Gain 33 dB —
Saturated Output Power (Psat) 3 W —
Power-Added Efficiency (PAE) 32% —
Max ANT Port Input Power 2 W —
Process Technology QGaN25 0.25 um GaN-on-SiC Qorvo QGaN25 0.25 um GaN-on-SiC
Encapsulamento 5 x 5 mm QFN, over-mold encapsulant, surface mount 5 x 5 mm QFN surface mount, over-mold encapsulant
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Tensão de alimentação [DATA_NEEDED: Drain Supply Voltage] [DATA_NEEDED: Supply Voltage Range]
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Compliance Status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Resistência térmica [DATA_NEEDED: Theta Jc] —
Função — GaN T/R Front-End Module (T/R switch + LNA + PA)
Band — X-Band
Receive Gain — 25 dB
Receive Noise Figure — 2.2 dB
Transmit Small-Signal Gain — 33 dB
Saturated Output Power — 3 W
Power Added Efficiency (PAE) — 32%
Die-Attach — High thermal conductivity die-attach process
Primary Application — X-Band phased array radar
Input/Output Return Loss — [DATA_NEEDED: Return Loss Values]

Fichas técnicas e recursos

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