QPM1002 vs QPM1002SR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von QPM1002 von Qorvo und QPM1002SR von Qorvo. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter QPM1002 QPM1002SR
Marke Qorvo Qorvo
Kategorie RF Modules RF Modules
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $96,00 $0,00
Frequency Range 8.5 GHz to 10.5 GHz 8.5 GHz to 10.5 GHz
Product Type GaN MMIC Front-End Module (T/R Module) —
Integrated Functions T/R switch + LNA + PA —
Rx Small-Signal Gain 25 dB —
Rx Noise Figure 2.2 dB —
Tx Small-Signal Gain 33 dB —
Saturated Output Power (Psat) 3 W —
Power-Added Efficiency (PAE) 32% —
Max ANT Port Input Power 2 W —
Process Technology QGaN25 0.25 um GaN-on-SiC Qorvo QGaN25 0.25 um GaN-on-SiC
Gehäuse 5 x 5 mm QFN, over-mold encapsulant, surface mount 5 x 5 mm QFN surface mount, over-mold encapsulant
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Versorgungsspannung [DATA_NEEDED: Drain Supply Voltage] [DATA_NEEDED: Supply Voltage Range]
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS Compliance Status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Wärmewiderstand [DATA_NEEDED: Theta Jc] —
Funktion — GaN T/R Front-End Module (T/R switch + LNA + PA)
Band — X-Band
Receive Gain — 25 dB
Receive Noise Figure — 2.2 dB
Transmit Small-Signal Gain — 33 dB
Saturated Output Power — 3 W
Power Added Efficiency (PAE) — 32%
Die-Attach — High thermal conductivity die-attach process
Primary Application — X-Band phased array radar
Input/Output Return Loss — [DATA_NEEDED: Return Loss Values]

Datenblätter & Ressourcen

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