QPM1002 vs QPM1002SR Comparación

Comparación detallada lado a lado de QPM1002 por Qorvo y QPM1002SR por Qorvo. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro QPM1002 QPM1002SR
Marca Qorvo Qorvo
Categoría RF Modules RF Modules
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $96,00 $0,00
Frequency Range 8.5 GHz to 10.5 GHz 8.5 GHz to 10.5 GHz
Product Type GaN MMIC Front-End Module (T/R Module) —
Integrated Functions T/R switch + LNA + PA —
Rx Small-Signal Gain 25 dB —
Rx Noise Figure 2.2 dB —
Tx Small-Signal Gain 33 dB —
Saturated Output Power (Psat) 3 W —
Power-Added Efficiency (PAE) 32% —
Max ANT Port Input Power 2 W —
Process Technology QGaN25 0.25 um GaN-on-SiC Qorvo QGaN25 0.25 um GaN-on-SiC
Encapsulado 5 x 5 mm QFN, over-mold encapsulant, surface mount 5 x 5 mm QFN surface mount, over-mold encapsulant
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Tensión de alimentación [DATA_NEEDED: Drain Supply Voltage] [DATA_NEEDED: Supply Voltage Range]
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Compliance Status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Resistencia térmica [DATA_NEEDED: Theta Jc] —
Función — GaN T/R Front-End Module (T/R switch + LNA + PA)
Band — X-Band
Receive Gain — 25 dB
Receive Noise Figure — 2.2 dB
Transmit Small-Signal Gain — 33 dB
Saturated Output Power — 3 W
Power Added Efficiency (PAE) — 32%
Die-Attach — High thermal conductivity die-attach process
Primary Application — X-Band phased array radar
Input/Output Return Loss — [DATA_NEEDED: Return Loss Values]

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