SM4036NHKP vs IRFH7084TRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de SM4036NHKP por Sinopower Semiconductor e IRFH7084TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Sinopower Semiconductor
SM4036NHKP - 40V 80A N-Channel MOSFET, PDFN-8 | Sinopower
SM4036NHKP ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | SM4036NHKP | IRFH7084TRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Sinopower Semiconductor | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,19 | $0,45 |
| Tipo de transistor | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 80 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| RDS(on) at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) in mOhm] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Encapsulamento | PDFN-8 (DFN5x6) 5x6 mm | 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Marking Code | 4036NH | — |
| Faixa de temperatura de operação | [DATA_NEEDED: junction temperature range] | -55°C to +175°C (TJ) |
| Power Dissipation (PD) | [DATA_NEEDED: PD max] | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Avalanche Rating | Yes (per datasheet) | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Status RoHS | Compliant (per Sinopower product page) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | StrongIRFET™ (trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) | — | 100 A |
| Silicon-Limited Drain Current | — | 265 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 156 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.25 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 0.95 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V to 2.7 V |
| Input Capacitance (Ciss) max @ 25V | — | 6560 pF |
| Livre de halogênio | — | Compliant |
| RthJC max | — | 0.96 °C/W (per datasheet) |