TPD2E001DRLR vs ESD5481MUT3G Comparação

Comparação detalhada lado a lado de TPD2E001DRLR por Texas Instruments e ESD5481MUT3G por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro TPD2E001DRLR ESD5481MUT3G
Marca Texas Instruments onsemi
Categoria Surge Protectors Surge Protectors
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,16 $0,14
Canais 2 —
Working Voltage (Vrwm) 5.5 V —
Typical Clamping Voltage 16 V —
Channel Capacitance (typ) 1.5 pF —
Dynamic Resistance (Rdyn) 1.2 ohm —
ESD Rating (HBM) ±15 kV —
ESD Rating (IEC 61000-4-2, contact) ±8 kV —
IEC 61000-4-2 Level Level 4 —
Leakage Current (max) [DATA_NEEDED: leakage current at Vrwm] —
Breakdown Voltage (Vbr) [DATA_NEEDED: Vbr min/typ/max] —
Peak Pulse Current (Ipp) [DATA_NEEDED: peak pulse current] —
Encapsulamento SOT-5 (DRL) 1.6 x 1.6 mm X3-DFN-2 (0.6 x 0.3 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -40C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Nível MSL Level 1 —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — onsemi
Product Type — Bidirectional ESD Protection TVS / Zener Diode
Working Voltage (VRWM) — 5 V
Clamping Voltage (VC) at 2 A (8/20 us) — 15 V
Peak Pulse Current (IPP) — 2 A (8/20 us)
Polarity — Bidirectional
Número de pinos — 2
ESD Protection — Best-in-class per onsemi datasheet
Response Time — Sub-nanosecond (typical of TVS avalanche)
Application — Portable consumer electronics, cellular phones, MP3 players, digital cameras
Leakage Current — [DATA_NEEDED: leakage current at VRWM]

Fichas técnicas e recursos

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