TPD2E001DRLR vs ESD5481MUT3G Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de TPD2E001DRLR par Texas Instruments et ESD5481MUT3G par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre TPD2E001DRLR ESD5481MUT3G
Marque Texas Instruments onsemi
Catégorie Surge Protectors Surge Protectors
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,16 $0,14
Canaux 2 —
Working Voltage (Vrwm) 5.5 V —
Typical Clamping Voltage 16 V —
Channel Capacitance (typ) 1.5 pF —
Dynamic Resistance (Rdyn) 1.2 ohm —
ESD Rating (HBM) ±15 kV —
ESD Rating (IEC 61000-4-2, contact) ±8 kV —
IEC 61000-4-2 Level Level 4 —
Leakage Current (max) [DATA_NEEDED: leakage current at Vrwm] —
Breakdown Voltage (Vbr) [DATA_NEEDED: Vbr min/typ/max] —
Peak Pulse Current (Ipp) [DATA_NEEDED: peak pulse current] —
Boîtier SOT-5 (DRL) 1.6 x 1.6 mm X3-DFN-2 (0.6 x 0.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Niveau MSL Level 1 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — onsemi
Product Type — Bidirectional ESD Protection TVS / Zener Diode
Working Voltage (VRWM) — 5 V
Clamping Voltage (VC) at 2 A (8/20 us) — 15 V
Peak Pulse Current (IPP) — 2 A (8/20 us)
Polarity — Bidirectional
Nombre de broches — 2
ESD Protection — Best-in-class per onsemi datasheet
Response Time — Sub-nanosecond (typical of TVS avalanche)
Application — Portable consumer electronics, cellular phones, MP3 players, digital cameras
Leakage Current — [DATA_NEEDED: leakage current at VRWM]

Fiches techniques et ressources

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