UCC21550 vs UCC21550ADWR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de UCC21550 por Texas Instruments e UCC21550ADWR por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
UCC21550 UCC21550 - 4A/6A 5kVrms Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550 - 4A/6A 5kVrms Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro UCC21550 UCC21550ADWR
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,25 $1,19
Canais 2 (dual-channel) —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Rating 5000 Vrms (reinforced, UL1577) —
Isolation Technology Capacitive (silicon dioxide) —
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
Supported Transistors MOSFET, SiC, GaN, IGBT —
Dead Time Programmable via DT pin resistor Programmable
UVLO Yes, on input and output supplies (A/B/C grade options) —
Temperatura de operação -40C to +150C —
Encapsulamento 16-SOIC (DW, 300 mil) 16-SOIC (DW)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification UCC21550x-Q1 family AEC-Q100 qualified —
Status RoHS Compliant Compliant
CMTI [DATA_NEEDED: common-mode transient immunity] > 125 V/ns
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
Number of Channels — 2 (dual)
Configuration — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
Isolation Type — Reinforced, capacitive coupling
Isolation Voltage — 5000 Vrms
Max VDD Output Supply — 25 V
UVLO Threshold Option — 5 V
Disable Function — Yes (DISABLE pin)
Driven Devices — Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT
Junction Temperature Range — -40C to +150C

Fichas técnicas e recursos

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