ULN2003ADR vs TBD62503AFNG Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ULN2003ADR por Texas Instruments e TBD62503AFNG por Toshiba. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
ULN2003ADR ULN2003ADR - 50V 500mA 7-ch Darlington Array SOIC-16 | TI

ULN2003ADR - 50V 500mA 7-ch Darlington Array SOIC-16 | TI

ULN2003ADR ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ULN2003ADR TBD62503AFNG
Marca Texas Instruments Toshiba
Categoria Transistors Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,16 $0,49
Tipo de transistor 7 NPN Darlington Array —
Number of Channels 7 7
Collector Current (Single Output, Max) 500 mA —
Collector-Emitter Voltage (Max) 50 V —
Output Breakdown Voltage (Min) 50 V —
Input Type Logic-level compatible (TTL/CMOS) —
Series Base Resistor 2.7 kOhm —
Configuração de saída Open-collector, common emitter —
Clamp Diodes Integrated common-cathode flyback diodes —
DC Input Voltage (Min) [DATA_NEEDED: minimum input logic-high voltage] —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +70 C -40 C to +85 C
Encapsulamento SOIC-16 (D) SSOP-16
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant (per distributor listings)
Lead-Free Yes —
Channel Type — Sink-type (low-side switch)
Output Device — N-channel DMOS open-drain
Maximum Drain-Source Voltage (Vdss) — 50 V
Continuous Output Current (per channel) — 300 mA
Peak Output Current — 500 mA
Maximum Clamping Diode Voltage — 50 V
Logic Input Compatibility — 3V CMOS / TTL
On-Resistance (Ron) — [DATA_NEEDED: typical Ron at specified Vgs]
Input Voltage (Vin) — 0 V to 30 V (gate drive, low-voltage logic supply)
Process Technology — Toshiba BiCD (Bipolar + CMOS + DMOS) monolithic

Fichas técnicas e recursos

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