ULN2003ADR vs TBD62503AFNG 비교

다음의 상세 나란히 비교: ULN2003ADR 제조: Texas Instruments 및 TBD62503AFNG 제조: Toshiba. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Texas Instruments
ULN2003ADR ULN2003ADR - 50V 500mA 7-ch Darlington Array SOIC-16 | TI

ULN2003ADR - 50V 500mA 7-ch Darlington Array SOIC-16 | TI

ULN2003ADR ✓ 활성

사양 비교

파라미터 ULN2003ADR TBD62503AFNG
브랜드 Texas Instruments Toshiba
카테고리 Transistors Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.16 $0.49
트랜지스터 유형 7 NPN Darlington Array —
Number of Channels 7 7
Collector Current (Single Output, Max) 500 mA —
Collector-Emitter Voltage (Max) 50 V —
Output Breakdown Voltage (Min) 50 V —
Input Type Logic-level compatible (TTL/CMOS) —
Series Base Resistor 2.7 kOhm —
출력 구성 Open-collector, common emitter —
Clamp Diodes Integrated common-cathode flyback diodes —
DC Input Voltage (Min) [DATA_NEEDED: minimum input logic-high voltage] —
동작 온도 범위 -40 C to +70 C -40 C to +85 C
패키지 SOIC-16 (D) SSOP-16
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS 상태 Compliant Compliant (per distributor listings)
Lead-Free Yes —
Channel Type — Sink-type (low-side switch)
Output Device — N-channel DMOS open-drain
Maximum Drain-Source Voltage (Vdss) — 50 V
Continuous Output Current (per channel) — 300 mA
Peak Output Current — 500 mA
Maximum Clamping Diode Voltage — 50 V
Logic Input Compatibility — 3V CMOS / TTL
On-Resistance (Ron) — [DATA_NEEDED: typical Ron at specified Vgs]
Input Voltage (Vin) — 0 V to 30 V (gate drive, low-voltage logic supply)
Process Technology — Toshiba BiCD (Bipolar + CMOS + DMOS) monolithic

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