ULN2003ADR vs TBD62503AFNG Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ULN2003ADR par Texas Instruments et TBD62503AFNG par Toshiba. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
ULN2003ADR ULN2003ADR - 50V 500mA 7-ch Darlington Array SOIC-16 | TI

ULN2003ADR - 50V 500mA 7-ch Darlington Array SOIC-16 | TI

ULN2003ADR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ULN2003ADR TBD62503AFNG
Marque Texas Instruments Toshiba
Catégorie Transistors Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,16 $0,49
Type de transistor 7 NPN Darlington Array —
Number of Channels 7 7
Collector Current (Single Output, Max) 500 mA —
Collector-Emitter Voltage (Max) 50 V —
Output Breakdown Voltage (Min) 50 V —
Input Type Logic-level compatible (TTL/CMOS) —
Series Base Resistor 2.7 kOhm —
Configuration de sortie Open-collector, common emitter —
Clamp Diodes Integrated common-cathode flyback diodes —
DC Input Voltage (Min) [DATA_NEEDED: minimum input logic-high voltage] —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +70 C -40 C to +85 C
Boîtier SOIC-16 (D) SSOP-16
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant (per distributor listings)
Lead-Free Yes —
Channel Type — Sink-type (low-side switch)
Output Device — N-channel DMOS open-drain
Maximum Drain-Source Voltage (Vdss) — 50 V
Continuous Output Current (per channel) — 300 mA
Peak Output Current — 500 mA
Maximum Clamping Diode Voltage — 50 V
Logic Input Compatibility — 3V CMOS / TTL
On-Resistance (Ron) — [DATA_NEEDED: typical Ron at specified Vgs]
Input Voltage (Vin) — 0 V to 30 V (gate drive, low-voltage logic supply)
Process Technology — Toshiba BiCD (Bipolar + CMOS + DMOS) monolithic

Fiches techniques et ressources

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