BSC011N03LSATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC011N03LSATMA1 от Infineon и BSC027N10NS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC011N03LSATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен NRND
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,54 $1,10
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 30V —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 37 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 100 A (TC) 194 A
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.1 mOhm (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 96 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Корпус PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Статус RoHS Compliant Compliant
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Technology — OptiMOS 5 (100V)
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену