BSC020N03LSGATMA1 vs BSC011N03LSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC020N03LSGATMA1 от Infineon и BSC011N03LSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LSGATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 3, 100A TDSON-8 | Infineon

BSC020N03LSGATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 3, 100A TDSON-8 | Infineon

BSC020N03LSGATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC020N03LSGATMA1 BSC011N03LSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,42 $0,54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] 100 A (TC)
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V)
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V approximately 2.0 mOhm 1.1 mOhm (typ)
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 96 W —
Диапазон рабочих температур -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C
Корпус / Типоразмер PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) 1
Product Series — OptiMOS 30V
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 37 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 96 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Корпус — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену