BSC021N08NS5ATMA1 vs BSC030N08NS5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC021N08NS5ATMA1 от Infineon и BSC030N08NS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 - 80V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC030N08NS5ATMA1 - 80V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC030N08NS5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC021N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,81 $0,55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC021N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (V_DS max) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) 226 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) 100 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) 2.1 mΩ —
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
Power Dissipation P_D (Tc=25°C) 214 W —
Рабочая температура перехода -55 °C to +175 °C —
Корпус SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Total Gate Charge Q_G typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
R_thJC thermal resistance max [DATA_NEEDED: R_thJC] —
Статус RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Уровень MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Delivery Form Tape & Reel (T&R) —
Product Type — N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — 161 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
RDS(on) max at VGS=10 V — 3.0 mOhm
RDS(on) max at VGS=7 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V]
Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) — 2.5 W
Power Dissipation (TC=25C) — 139 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55C to +150C
Без галогенов — Yes
Lead-Free — Yes
Gate Drive Logic — Standard 10V, compatible with 12V drive
Optimized Application — Synchronous Rectification

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену