BSC027N06LS5ATMA1 vs IPG20N10S4L35ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC027N06LS5ATMA1 от Infineon и IPG20N10S4L35ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPG20N10S4L35ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1 - 100V Dual N-Ch MOSFET, 35mΩ | Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1 - 100V Dual N-Ch MOSFET, 35mΩ | Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC027N06LS5ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,66 $0,66
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 5 OptiMOS™, Automotive
Part Status Active —
FET Type N-Channel 2 N-Channel (Dual)
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 2.7 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 83 W —
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C —
Корпус / Типоразмер PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 8 —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total Qg] —
Avalanche Energy Rated Yes —
Статус RoHS Compliant Compliant (Green Product)
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Part Number — IPG20N10S4L35ATMA1
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C — 20 A
R<sub>DS(on)</sub> Max — 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A
Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value]
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 43 W
Рабочая температура — 175°C max junction
Automotive Qualification — AEC-Q101
Уровень MSL — MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Avalanche Rated — 100% Avalanche Tested

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену