BSC050N04LSGATMA1 vs BSG0813NDIATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC050N04LSGATMA1 от Infineon и BSG0813NDIATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSG0813NDIATMA1 BSG0813NDIATMA1 - 25V 19A/33A OptiMOS 5 Power Block | Infineon

BSG0813NDIATMA1 - 25V 19A/33A OptiMOS 5 Power Block | Infineon

BSG0813NDIATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC050N04LSGATMA1 BSG0813NDIATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,41 $1,05
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET Array (half-bridge / synchronous buck)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) 18 A —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 57 W —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) —
Корпус PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) PG-TISON-8 (5.0 x 6.0 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +150C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse avalanche) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 Power Block
Configuration — High-side + Low-side, integrated
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Low-Side Continuous Drain Current (ID) — 19 A
High-Side Continuous Drain Current (ID) — 33 A
Power Dissipation (PD) — 2.5 W
RDS(on) - Low-Side — [DATA_NEEDED: RDS(on) low-side @ VGS]
RDS(on) - High-Side — [DATA_NEEDED: RDS(on) high-side @ VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Technology Generation — OptiMOS 5
Топология — Synchronous buck half-bridge

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену