BSC0902NSIATMA1 vs BSC019N04NSGATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC0902NSIATMA1 от Infineon и BSC019N04NSGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS MOSFET, PG-TDSON-8 | Infineon

BSC0902NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS MOSFET, PG-TDSON-8 | Infineon

BSC0902NSIATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSGATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC019N04NSGATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC019N04NSGATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC0902NSIATMA1 BSC019N04NSGATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,32 $0,58
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 30V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 23 A 30 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Charge QG(0V..10V) 24 nC —
Output Charge QOSS 17 nC —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Корпус PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Built-in Diode Yes (single with built-in diode) —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes —
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
RDS(on) max at VGS=10V — 2.5 mΩ
RDS(on) typ at VGS=10V — 1.9 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 125 W

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену