BSP125H6433XTMA1 vs BSR316PH6327XTSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSP125H6433XTMA1 от Infineon и BSR316PH6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 - 600V N-Ch 120mA MOSFET | Infineon

BSP125H6433XTMA1 - 600V N-Ch 120mA MOSFET | Infineon

BSP125H6433XTMA1 ✓ Активен
Infineon
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSP125H6433XTMA1 BSR316PH6327XTSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,05 $0,22
FET Type N-Channel Enhancement Mode P-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 120 mA -360 mA
Power Dissipation (PD) at TA 1.8 W —
Корпус PG-SOT223-4 (3+tab) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Lead Plating Pb-free —
Статус RoHS Compliant Compliant
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (TJ) -55 C to +150 C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total Qg] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Thermal Resistance RthJA [DATA_NEEDED: theta_JA on standard PCB] —
Configuration Single N-Channel MOSFET —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR316PH6327XTSA1
Series — OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — [DATA_NEEDED: ID at TC specific value]
On-State Resistance RDS(on) max — 1800 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.7 V typical, -2.5 V max
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (Tc) — 500 mW
Qualification — Automotive
Уровень MSL — 1
Polarity — P-Channel

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену