BSZ011NE2LS5IATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSZ011NE2LS5IATMA1 от Infineon и BSC010NE2LSIATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSZ011NE2LS5IATMA1 BSC010NE2LSIATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,55 $0,92
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 35 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) —
Gate Drive Voltage (recommended) 4.5 V to 10 V —
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C -55C to +150C (TJ)
Корпус PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series / Family — OptiMOS 25V
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
Число выводов — 8
Gate Drive — Logic-level compatible
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену