BSZ018NE2LSATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSZ018NE2LSATMA1 от Infineon и BSC020N03LSGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LSATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET, 23A/40A | Infineon

BSZ018NE2LSATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET, 23A/40A | Infineon

BSZ018NE2LSATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LSGATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 3, 100A TDSON-8 | Infineon

BSC020N03LSGATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 3, 100A TDSON-8 | Infineon

BSC020N03LSGATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSZ018NE2LSATMA1 BSC020N03LSGATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,31 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V —
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Continuous Drain Current (TA) 23 A —
Continuous Drain Current (TC) 40 A —
Power Dissipation (TA) 2.1 W —
Power Dissipation (TC) 69 W —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C -55 C to +150 C (junction)
Корпус PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet)
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes —
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet)
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — approximately 2.0 mOhm
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 96 W
Корпус / Типоразмер — PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm)
Packaging — Tape & Reel

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену