BSZ018NE2LSATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSZ018NE2LSATMA1 от Infineon и BSZ036NE2LSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 - 25V N-Channel OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | BSZ018NE2LSATMA1 | BSZ036NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,31 | $0,42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | OptiMOS 25V |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (TA) | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 40 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 69 W | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Корпус | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (Unlimited) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 37 W |
| Configuration | — | Single |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |