BSZ018NE2LSATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSZ018NE2LSATMA1 제조: Infineon 및 BSZ036NE2LSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSZ018NE2LSATMA1 | BSZ036NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.31 | $0.42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | OptiMOS 25V |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (TA) | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 40 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 69 W | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C | -55C to +150C |
| 패키지 | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (Unlimited) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 37 W |
| Configuration | — | Single |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |