BSZ215CHXTMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSZ215CHXTMA1 от Infineon и BSZ0901NSIATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSZ215CHXTMA1 BSZ215CHXTMA1 - 20V N+P Complementary MOSFET | Infineon

BSZ215CHXTMA1 - 20V N+P Complementary MOSFET | Infineon

BSZ215CHXTMA1 ✓ Активен
Infineon
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSZ215CHXTMA1 BSZ0901NSIATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,36 $0,34
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS OptiMOS 25V
FET Type N-Channel and P-Channel Complementary N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) 20 V —
Continuous Drain Current - N-channel (Id) 5.1 A —
Continuous Drain Current - P-channel (Id) 3.2 A —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W —
On-State Resistance - N-channel max (Rds(on)) [DATA_NEEDED: N-channel Rds(on)] —
On-State Resistance - P-channel max (Rds(on)) [DATA_NEEDED: P-channel Rds(on)] —
Technology OptiMOS (enhancement mode) OptiMOS trench N-channel MOSFET
Корпус PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +150C -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (100% lead-free) —
Avalanche Rated Yes —
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
Число выводов — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену