EDB2432B4MA-1DAUT-F-D vs EDB1332BDBH-1DAUT-F-D Сравнение

Подробное сравнение бок о бок EDB2432B4MA-1DAUT-F-D от Micron Technology и EDB1332BDBH-1DAUT-F-D от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D EDB2432B4MA-1DAUT-F-D - 2Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D - 2Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D ✓ Активен
Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр EDB2432B4MA-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $7,43 $2,16
Тип памяти Volatile Memory - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR2
Technology SDRAM - Mobile LPDDR2 —
Размер памяти 2 Gbit (64M x 32) 1 Gbit
Организация памяти 64M x 32 32M x 32
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
Интерфейс Parallel Parallel
Корпус 134-VFBGA (10 x 11.5 mm) 134-VFBGA (10 x 11.5 mm)
Package Construction DDP (Double-Die Package) —
Рабочая температура -40C to +125C (Automotive) [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Marking Code D9WVG —
Part Status Active —
Lead-Free Status Lead free (-F suffix) —
Halogen-Free Status Halogen free (-F suffix) —
Напряжение питания [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage] —
Write Cycle Time - Word, Page [DATA_NEEDED: write cycle time] —
Core Supply Voltage — 1.2 V
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.95 V
Access Mode — Single Bank Page Burst
Number of Terminals — 134
Temperature Grade — Automotive
Package Shape — Rectangular
Packaging Suffix — -D (Dry Pack)
Moisture Sensitivity — Dry Pack (per -D suffix)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену