EP3SE260H780C4L vs EP3SE260H780C3 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок EP3SE260H780C4L от Intel и EP3SE260H780C3 от Intel. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Intel
EP3SE260H780C3 EP3SE260H780C3 - Stratix III E FPGA 255K LE, 488 I/O | Intel

EP3SE260H780C3 - Stratix III E FPGA 255K LE, 488 I/O | Intel

EP3SE260H780C3 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр EP3SE260H780C4L EP3SE260H780C3
Бренд Intel Intel
Категория FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Статус жизненного цикла NRND Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1.190,00 $1.180,00
Family Stratix III E —
Logic Elements 255,000 255,000
LABs/CLBs 10,200 —
Total RAM Bits 16,672,768 (16.7 Mbit) —
User I/O Count 488 —
Корпус 780-ball FCBGA (HBGA 33x33 mm) 780-ball FCBGA (HBGA), flip-chip
Speed Grade C4 (middle/slow tier) C3
Core Voltage 0.9 V (nominal) —
Рабочая температура перехода 0C to +85C (commercial) —
Тип монтажа Surface Mount (flip-chip BGA) Surface Mount (BGA)
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Статус RoHS Compliant (lead-free per datasheet) Compliant (per product listings)
Transceivers Up to 24 multi-gigabit transceivers —
Memory Interface DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM II controllers —
Configuration Mode PS, FPP, JTAG with EPCS/EPCQ —
Device Family — Stratix III Enhanced (Stratix III E)
Series — EP3SE
Logic Array Blocks (LABs) — 10200
Embedded Memory — 16,672,768 bits (16.67 Mbit)
User I/Os — 488
Operating Voltage (Core) — 0.9 V
Operating Voltage (Auxiliary) — 1.1 V
Process Technology — 65 nm CMOS
Рабочая температура — Commercial, 0C to +85C
Maximum Core Frequency — 500 MHz
Уровень чувствительности к влаге (MSL) — 3 (168 hours)
Packaging Type — Tray
Configuration Memory Support — Fast passive parallel, JTAG, Active Serial

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену