EP4CE15E22C8N vs EP4CE15F23C8N Сравнение
Подробное сравнение бок о бок EP4CE15E22C8N от Intel и EP4CE15F23C8N от Intel. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | EP4CE15E22C8N | EP4CE15F23C8N |
|---|---|---|
| Бренд | Intel | Intel |
| Категория | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $15,95 | $33,10 |
| Series | Cyclone IV E | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LEs) | 15,408 | — |
| Embedded Memory (Bits) | 516,096 | — |
| Embedded Memory (Kbits) | 504 | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 56 | — |
| General Purpose PLLs | 4 | — |
| User I/O Pins | 81 | — |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| Рабочая температура | 0C to +85C (Commercial) | 0C to 85C (Commercial) |
| Speed Grade | 8 | C8 (commercial, 8 ns internal timing) |
| Корпус | 144-pin EQFP (Enhanced QFP) with Exposed Pad | 484-BGA (FineLine BGA, F23, 23x23 mm, 1.0 mm pitch) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Уровень MSL | 3 | MSL3 (per JEDEC J-STD-020) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Process Technology | 60 nm low-power CMOS | 60 nm low-leakage CMOS |
| Configuration Method | SRAM-based, AS / PS / JTAG | — |
| Logic Elements | — | 15,408 |
| Embedded Memory Bits | — | 516,096 bits (63 KBytes) |
| Embedded Multipliers (18x18) | — | 343 |
| General-purpose PLLs | — | 4 |
| Maximum User I/O Pins | — | 343 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.0 V to 1.2 V |
| I/O Bank Voltage (VCCIO) | — | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V |
| Configuration Modes | — | AS / PS / JTAG / FPP |
| Hard IP Blocks | — | PCIe Gen1 root port, external memory interface |
| Embedded Memory Type | — | M9K (9 Kbit each) |