H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G6NBJR-RDC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-RDC от SK hynix и H5AN4G6NBJR-RDC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN4G8NBJR-RDC | H5AN4G6NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,95 | $6,15 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Организация памяти | 512M x 8 | 256M x 16 |
| Интерфейс | DDR4 (Double Data Rate IV) | CMOS, fully synchronous |
| Корпус | 78-ball FBGA | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Напряжение питания | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | 1.2 V |
| Скорость передачи данных | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] | — |
| Bank Architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| Статус RoHS | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) | — |
| Process Technology | CMOS | — |
| Manufacturer | SK hynix | — |
| Family Series | H5AN4G4/8/6NBJR | — |
| Package Code | — | TFBGA (FBGA-96) |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Package Width | — | 7.5 mm |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Self Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) |
| Speed Grade | — | -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) |