H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G6NBJR-RDC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-RDC par SK hynix et H5AN4G6NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G6NBJR-RDC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,95 $6,15
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Organisation de la mémoire 512M x 8 256M x 16
Interface DDR4 (Double Data Rate IV) CMOS, fully synchronous
Boîtier 78-ball FBGA —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Tension d'alimentation [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] 1.2 V
Débit de données [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] —
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet
Termination On-Die Termination (ODT) —
Statut RoHS Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) —
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix —
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
Package Code — TFBGA (FBGA-96)
Package Shape — Rectangular
Package Width — 7.5 mm
Number of Terminals — 96
Self Refresh — Auto / Self Refresh
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free)
Speed Grade — -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin)

Fiches techniques et ressources

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