H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-UHI Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-VKC от SK hynix и H5AN4G8NBJR-UHI от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,40 | $2,25 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2400 MT/s |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Корпус | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Self-refresh and auto-refresh support |
| Статус RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Статус жизненного цикла | Active | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Организация памяти | — | 512M x 8 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Интерфейс | — | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |