H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-UHI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-VKC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-UHI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,40 | $2,25 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| Débit de données | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2400 MT/s |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Self-refresh and auto-refresh support |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Statut du cycle de vie | Active | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 8 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Interface | — | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |