H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-UHI Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-VKC por SK hynix y H5AN4G8NBJR-UHI por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,40 | $2,25 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2400 MT/s |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulado | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Self-refresh and auto-refresh support |
| Estado RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Estado del ciclo de vida | Active | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Organización de memoria | — | 512M x 8 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Interfaz | — | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |