H5AN8G6NCJR-XXC vs H5AN8G6NDJR Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NCJR-xxC от SK hynix и H5AN8G6NDJR от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G6NCJR-xxC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,50 | $35,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps (VKC speed grade) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Supply | 2.5 V | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to 95°C | — |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| On-Die Termination (ODT) | Supported | — |
| Self-Refresh | Temperature-compensated (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Задержка CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Особенности | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |