H5AN8G8NAFR-VKC vs H5AN8G4NAFR-VKC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN8G8NAFR-VKC от SK hynix и H5AN8G4NAFR-VKC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G4NAFR-VKC H5AN8G4NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 2Gx4 | SK hynix

H5AN8G4NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 2Gx4 | SK hynix

H5AN8G4NAFR-VKC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G4NAFR-VKC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $4,15 $2,98
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Организация памяти 1G x 8 2G x 4
Speed Grade DDR4-2666 (VKC bin) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Интерфейс SSTL12 —
Burst Length 8 (BL8) —
Bank Group Architecture Supported (per DDR4 JEDEC architecture) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes (DLL for output skew control) —
Корпус 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Статус RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Process Technology CMOS —
Recommended Application Main memory requiring large density and high bandwidth —
Скорость передачи данных — 2666 Mbps per pin (DDR4-2666)
CAS Latency (CL) — 19 (CL19, speed bin VK)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Technology — CMOS
Family — H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC
Application — Main memory requiring large density and high bandwidth
Datasheet Revision — Rev. 1.2 (Jul. 2017)
Refresh — [DATA_NEEDED: Refresh specification]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену