H5AN8G8NAFR-VKC vs K4A8G085WC-BCWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G8NAFR-VKC от SK hynix и K4A8G085WC-BCWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G8NAFR-VKC | K4A8G085WC-BCWE |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,15 | $7,38 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Организация памяти | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 (VKC bin) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Интерфейс | SSTL12 | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Bank Group Architecture | Supported (per DDR4 JEDEC architecture) | DDR4 bank groups (8n prefetch) |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes (DLL for output skew control) | — |
| Корпус | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Статус RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Process Technology | CMOS | — |
| Recommended Application | Main memory requiring large density and high bandwidth | — |
| Скорость передачи данных | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Application Class | — | Computing / Embedded main memory |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Speed Bin Suffix | — | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) |
| Refresh | — | Standard DDR4 refresh mechanisms |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |