H5AN8G8NAFR-VKC vs K4A8G085WC-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G8NAFR-VKC 제조: SK hynix 및 K4A8G085WC-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G8NAFR-VKC | K4A8G085WC-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.15 | $7.38 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 (VKC bin) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 인터페이스 | SSTL12 | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Bank Group Architecture | Supported (per DDR4 JEDEC architecture) | DDR4 bank groups (8n prefetch) |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes (DLL for output skew control) | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| RoHS 상태 | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Process Technology | CMOS | — |
| Recommended Application | Main memory requiring large density and high bandwidth | — |
| 데이터 속도 | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Application Class | — | Computing / Embedded main memory |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Speed Bin Suffix | — | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) |
| Refresh | — | Standard DDR4 refresh mechanisms |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |