H5AN8G8NCJR-RDC vs H5ANAG8NBJR-RDC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G8NCJR-RDC от SK hynix и H5ANAG8NBJR-RDC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G8NCJR-RDC | H5ANAG8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,70 | $3,55 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | 16 Gbit |
| Организация памяти | x8 | 2G x 8 |
| Скорость передачи данных | up to 2666 Mbps | — |
| Напряжение питания | 1.2 V (VDD) | — |
| Интерфейс | DDR4 (JEDEC standard) | SSTL12 |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Корпус | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant (lead-free PBGA per family product data) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Speed Grade (suffix R) | — | DDR4-2666 class |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) |
| Bank Groups | — | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) |
| Data Strobe | — | DQS with read/write training |
| Data Bus Inversion | — | Supported (DBI) |
| Статус жизненного цикла | — | Active |