H5AN8G8NCJR-RDC vs H5ANAG8NBJR-RDC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NCJR-RDC por SK hynix y H5ANAG8NBJR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G8NCJR-RDC | H5ANAG8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,70 | $3,55 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | 16 Gbit |
| Organización de memoria | x8 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | up to 2666 Mbps | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V (VDD) | — |
| Interfaz | DDR4 (JEDEC standard) | SSTL12 |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant (lead-free PBGA per family product data) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Speed Grade (suffix R) | — | DDR4-2666 class |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) |
| Bank Groups | — | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) |
| Data Strobe | — | DQS with read/write training |
| Data Bus Inversion | — | Supported (DBI) |
| Estado del ciclo de vida | — | Active |