H5AN8G8NCJR-RDC vs H5ANAG8NBJR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NCJR-RDC par SK hynix et H5ANAG8NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NCJR-RDC | H5ANAG8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,70 | $3,55 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | x8 | 2G x 8 |
| Débit de données | up to 2666 Mbps | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V (VDD) | — |
| Interface | DDR4 (JEDEC standard) | SSTL12 |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (lead-free PBGA per family product data) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Speed Grade (suffix R) | — | DDR4-2666 class |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) |
| Bank Groups | — | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) |
| Data Strobe | — | DQS with read/write training |
| Data Bus Inversion | — | Supported (DBI) |
| Statut du cycle de vie | — | Active |