H5ANAG6NBJR-UHC vs H5ANAG6NBJR-PBC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5ANAG6NBJR-UHC от SK hynix и H5ANAG6NBJR-PBC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC ✓ Активен
SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-PBC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория DRAM Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $8,09 $6,45
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 16 Gb (2 GB)
Организация памяти 256M x 16 [DATA_NEEDED: Organization x16/x8]
Интерфейс DDR4 (CMOS) —
Корпус PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) FBGA-96
Package Dimensions 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) —
Access Mode Multi Bank, Page Burst —
Рабочая температура -40C to +95C [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Refresh Auto / Self Refresh —
Data Mask Supported (DM function) —
Asynchronous Reset Supported Yes
On-Chip Termination Dynamic ODT Dynamic ODT
ZQ Calibration Supported Yes
Write Leveling Supported Yes
CRC Supported —
Supply Voltage Class DDR4 (1.2 V class) —
Статус RoHS RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
REACH Compliance Compliant —
ECCN EAR99 —
HTS Code 8542.32.00.36 —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Max Data Rate [DATA_NEEDED: Max Data Rate] —
Напряжение питания — 1.2 V
Generation Max Data Rate — 3200 MT/s (family max)
Тип монтажа — Surface Mount
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes
CRC Function — Yes
Speed Bin (PBC) — [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену