H5ANAG8NBJR-VKC vs K4AAG085WM-BCTD Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5ANAG8NBJR-VKC от SK hynix и K4AAG085WM-BCTD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung
K4AAG085WM-BCTD ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | H5ANAG8NBJR-VKC | K4AAG085WM-BCTD |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,60 | $9,95 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| Организация памяти | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) | DDR4-2666 |
| Напряжение питания | 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) | 1.2 V |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal interface per distributor data) | — |
| Рабочая температура | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Корпус | FBGA-78 | FBGA-78 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | 30 mA (operating, per distributor listing) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Статус RoHS | Compliant, Lead-Free and Halogen-Free | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] | — |
| Размер памяти | — | 16 Gb |
| Тип интерфейса | — | Parallel (DDR4) |
| Clock Rate | — | 1333 MHz |
| Скорость передачи данных | — | 2666 MT/s |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups |
| Density Class | — | 16 Gbit monolithic DRAM |
| Application Class | — | Industrial / embedded memory |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |