H5ANAG8NBJR-VKC vs K4AAG085WM-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NBJR-VKC par SK hynix et K4AAG085WM-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG8NBJR-VKC | K4AAG085WM-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,60 | $9,95 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) | DDR4-2666 |
| Tension d'alimentation | 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) | 1.2 V |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal interface per distributor data) | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Boîtier | FBGA-78 | FBGA-78 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | 30 mA (operating, per distributor listing) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant, Lead-Free and Halogen-Free | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] | — |
| Taille de mémoire | — | 16 Gb |
| Type d'interface | — | Parallel (DDR4) |
| Clock Rate | — | 1333 MHz |
| Débit de données | — | 2666 MT/s |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups |
| Density Class | — | 16 Gbit monolithic DRAM |
| Application Class | — | Industrial / embedded memory |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |