H5TC4G63AFR-PBR vs H5TC4G63MFR-PBA Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5TC4G63AFR-PBR от SK hynix и H5TC4G63MFR-PBA от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ Активен
SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63MFR-PBA
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $5,91 $6,50
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Total Capacity 4Gb —
Напряжение питания 1.35V (1.5V compatible) —
Скорость передачи данных 1600 Mbps (PC3L-12800) 1866 Mbps (PC3L-14900)
Задержка CAS 11 —
tRCD/tRP 11 —
Clock Frequency 800 MHz —
tCK 1.25 ns —
tRCD 13.125 ns —
Burst Length 8 (BL8) with burst chop (BC4) BL8, BL4 (with burst chop)
Number of Banks 8 8
Refresh Interval 7.8us at 85C, 3.9us at 95C —
Корпус 96-ball FBGA (PBGA96) 96-ball FBGA
Package Dimensions 13.5mm x 9.0mm —
Ball Pitch 0.8mm —
I/O Interface SSTL-15 —
Рабочая температура 0C to +95C —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes —
Density — 4 Gb
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V (+0.100V/-0.067V)
CAS Latency (CL) — Programmable
CAS Write Latency (CWL) — Programmable
Additive Latency — Programmable
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Temperature-Compensated Self-Refresh — Yes
Process Technology — 30nm-class
RoHS Compliant — Yes (Lead-Free & Halogen-Free)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену