H5TC4G63CFR-H9J vs H5TC4G63MFR-PBA Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5TC4G63CFR-H9J от SK hynix и H5TC4G63MFR-PBA от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9J H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J ✓ Активен
SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5TC4G63CFR-H9J H5TC4G63MFR-PBA
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,00 $6,50
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V 1.35V (+0.100V/-0.067V)
Speed Grade -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) —
Корпус 96-ball TFBGA 96-ball FBGA
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade Industrial —
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes —
RoHS Compliant Yes Yes (Lead-Free & Halogen-Free)
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Скорость передачи данных — 1866 Mbps (PC3L-14900)
Number of Banks — 8
Burst Length — BL8, BL4 (with burst chop)
CAS Latency (CL) — Programmable
CAS Write Latency (CWL) — Programmable
Additive Latency — Programmable
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Temperature-Compensated Self-Refresh — Yes
Process Technology — 30nm-class

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену