HI5812JIBZ-T vs HI5812JIBZ Сравнение

Подробное сравнение бок о бок HI5812JIBZ-T от Renesas Electronics и HI5812JIBZ от Renesas Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Renesas Electronics
HI5812JIBZ-T HI5812JIBZ-T - 12-bit, 50kSPS SAR ADC | Renesas / Intersil

HI5812JIBZ-T - 12-bit, 50kSPS SAR ADC | Renesas / Intersil

HI5812JIBZ-T ✓ Активен
Renesas Electronics
HI5812JIBZ HI5812JIBZ - 12-Bit 50kSPS SAR ADC w/ Track & Hold | Renesas

HI5812JIBZ - 12-Bit 50kSPS SAR ADC w/ Track & Hold | Renesas

HI5812JIBZ ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр HI5812JIBZ-T HI5812JIBZ
Бренд Renesas Electronics Renesas Electronics
Категория ADC/DAC ADC/DAC
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,95 $3,18
Разрешение 12 bits 12 bit
Architecture SAR (Successive Approximation Register) with internal Track-and-Hold SAR (Successive Approximation) with internal Track-and-Hold
Number of Input Channels 1 single-ended —
Частота дискретизации 50 kSPS (max) —
Conversion Time 20 us (max at 5 V supply) 20 us (typical)
Data Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 3 V to 6 V (single supply) —
Supply Current (typ. at 5 V) 1.9 mA —
Input Type Single-ended analog input —
Корпус / Типоразмер 24-SOIC (0.295 inch / 7.50 mm width) —
Тип монтажа Surface Mount —
Рабочая температура -40 C to +85 C —
Power Dissipation (max) 25 mW —
Packaging Tape and Reel (TR) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Number of Channels — 1 single-ended input
Sample Rate — 50 kSPS (max)
Диапазон входного напряжения — 0 V to VREF (unipolar)
Reference Voltage (VREF) — [DATA_NEEDED: VREF max]
Integral Linearity Error (INL) — 1.5 LSB (max)
Analog Supply Voltage (VDD) — +5 V
Digital Interface — Parallel, user-selectable 12-bit / 8-bit MSB / 4-bit LSB
Тип выхода — Three-state CMOS, latched across one full conversion
Control Inputs/Outputs — CONVERT_START (input), DATA_READY (flag)
Internal Clock — On-chip oscillator
Power Dissipation — 25 mW
Диапазон рабочих температур — -40 C to +85 C
Package / Mounting — 24-pin SOIC (wide body), surface mount
Process Technology — High-speed CMOS with thin-film DAC

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену