IAUA220N08S5N021AUMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUA220N08S5N021AUMA1 от Infineon и IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUA220N08S5N021AUMA1 IAUA220N08S5N021AUMA1 - 80V, 220A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA220N08S5N021AUMA1 - 80V, 220A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA220N08S5N021AUMA1 ✓ Активен
Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUA220N08S5N021AUMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,45 $1,84
Technology OptiMOS-5 (75V-120V family) OptiMOS 5 Power-Transistor
Drain-Source Voltage (V_DS max) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 220 A —
Static Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)) 2.1 mΩ at 10 V V_GS —
Power Dissipation (P_D, Tc) 211 W —
Gate-Source Voltage (V_GS max) [DATA_NEEDED: V_GS max absolute rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] —
Диапазон рабочих температур -55C to +175C (Tj) —
Корпус PG-HSOF-5-4 (7x8 mm²) PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Статус RoHS Compliant Compliant
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical at V_GS=10V] —
Output Capacitance (C_oss) [DATA_NEEDED: C_oss typical] —
Thermal Resistance (R_thJC) [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 75 A
Continuous Drain Current (Tc) — 789 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Maximum On-Resistance RDS(on) — 0.29 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ)
Число выводов — 9
Cooling — Dual-side exposed pad (top + bottom)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену