IAUC100N04S6L025ATMA1 vs IAUC120N06S5L011ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUC100N04S6L025ATMA1 от Infineon и IAUC120N06S5L011ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUC120N06S5L011ATMA1 IAUC120N06S5L011ATMA1 - 60V 1.1mOhm 310A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L011ATMA1 - 60V 1.1mOhm 310A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L011ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC120N06S5L011ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,62 $2,10
Technology OptiMOS 6 40V trench MOSFET —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.5 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 62 W —
Рабочая температура перехода -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Корпус PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 60 V (S5 generation)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) — 310 A (Tj), 120 A marketing
R_DS(on) max — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V]
Power Dissipation (P_D) — 188 W at T_C = 25 °C
Avalanche Energy Rated — Yes (EAS)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену