IAUC100N08S5N043ATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IAUC100N08S5N043ATMA1 от Infineon и BSC042NE7NS3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | IAUC100N08S5N043ATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,72 | $1,24 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | IAUC / OptiMOS 5 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | N-Channel MOSFET |
| Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 100 A (package limited) | — |
| Continuous Drain Current (chip-limited) | 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W | — |
| Maximum R<sub>DS(on)</sub> | 4.3 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 125 W (T<sub>C</sub>) | — |
| Диапазон рабочих температур | -55°C to +175°C | -55C to +150C |
| Корпус | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Число выводов | 8 | — |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS 3 |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Part Number | — | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| Уровень MSL | — | 1 |
| Статус RoHS | — | Compliant |