IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7L006ATMA1 от Infineon и IAUC100N04S6L020ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN04S7L006ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,38 $0,86
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max 0.6 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Диапазон рабочих температур -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (TJ)
Корпус PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-7 trench OptiMOS 6
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Число выводов 8 —
Packaging Tape and Reel (ATMA1) Tape & Reel (TMA1)
Polarity Single N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 40 V
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 75 W
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A — 2.04 mΩ
RDS(on) Typical — 2.0 mΩ
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical — 2.0 V
Qualification — Automotive grade

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену