IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7L006ATMA1 par Infineon et IAUC100N04S6L020ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7L006ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,38 $0,86
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max 0.6 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (TJ)
Boîtier PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-7 trench OptiMOS 6
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Nombre de broches 8 —
Packaging Tape and Reel (ATMA1) Tape & Reel (TMA1)
Polarity Single N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 40 V
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 75 W
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A — 2.04 mΩ
RDS(on) Typical — 2.0 mΩ
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical — 2.0 V
Qualification — Automotive grade

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