IAUCN04S7L042GATMA1 vs IAUCN04S7L009ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7L042GATMA1 от Infineon и IAUCN04S7L009ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon

IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon

IAUCN04S7L042GATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 IAUCN04S7L009ATMA1 - 40V 275A 0.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L009ATMA1 - 40V 275A 0.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L009ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN04S7L042GATMA1 IAUCN04S7L009ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,86 $0,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 40V —
Technology Trench N-Channel MOSFET OptiMOS™ 7 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 77 A —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
Корпус PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount PG-TDSON-8-34 (TDSON EP)
Тип монтажа Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +175C (Tj) -55 °C to +175 °C (Tj)
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode —
Automotive Qualified Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 1
Packing Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) —
Target Substrate IMS substrate and legacy FR4 designs —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] —
Part Number — IAUCN04S7L009ATMA1
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) — 275 A (Tj)
Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) — 175 A
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) — 129 W
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 0.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену